
Greene Tweed Chemraz 513 · 密封圈与 O 形圈
材料: FFKM · 参考温度上限: 210 °C · 典型硬度: 80 Shore A(典型值)
半导体耗材 · 面向全球
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Greene Tweed Chemraz 513 · 密封圈与 O 形圈
材料: FFKM · 参考温度上限: 210 °C · 典型硬度: 80 Shore A(典型值)

MORISEAL Morisz 5130UP 半导体用全氟醚 O-ring(材料系列)
等离子环境中的运动密封接触位置 · -5–250 °C · 80±5 HA · 22 % @ 200 °C / 70 h

MORISEAL Morisz MPF506UP 半导体用全氟醚 O-ring(材料系列)
特种气体管路密封 · -5–250 °C · 80±5 HA · 21 % @ 200 °C / 70 h

MORISEAL Morisz 6002UP 半导体用全氟醚 O-ring(材料系列)
高温、水蒸气、氧气或臭氧相关密封 · 0–300 °C · 80±5 HA · 19 % @ 200 °C / 70 h
查看全部密封件与 O 型圈 →如何写一份能拿到报价的 FFKM O 型圈询价 →AS568 O 型圈尺寸与材料选型指南 →

E5200 + NeuroBox 一体机
INT8 100 TOPS · FP16 50 TFLOPS · NVIDIA Orin · 16 GB · 内置 10.1 寸触摸屏

MAZO 33 µH 7 A 屏蔽式功率电感
33 µH · Isat 8.5 A · Idc 7 A · DCR ≤ 45 mΩ · 13.8 × 12.9 × 6.5 mm · AEC-Q200


MAZO 22 µH 5 A 屏蔽式功率电感
22 µH · Isat 6.5 A · Idc 5 A · DCR ≤ 66 mΩ · 11.5 × 10.3 × 4 mm · AEC-Q200

MAZO 22 µH 75 V 屏蔽式功率电感
22 µH · Isat 3.5 A · Idc 2.5 A · DCR ≤ 200 mΩ · 7.3 × 6.8 × 3 mm · AEC-Q200

MAZO 10 µH 50 V 屏蔽式功率电感
10 µH · Isat 3 A · Idc 2.5 A · DCR ≤ 125 mΩ · 5.7 × 5.4 × 3 mm · AEC-Q200

MAZO 10 µH 40 V 屏蔽式功率电感
10 µH · Isat 2.2 A · Idc 1.7 A · DCR ≤ 281 mΩ · 4.75 × 4.45 × 2 mm · AEC-Q200

MAZO 0.36 µH 50 A 屏蔽功率电感
0.36 µH · Isat 50 A · Idc 30 A · DCR ≤ 1.2 mΩ · 11.5 × 10.3 × 4 mm

MORISEAL Morisz ST50i 半导体用全氟醚 O-ring(材料系列)
低温密封;厂家同时描述等离子及腐蚀性介质应用 · -45–200 °C · 65±5 HA · 24 % @ 200 °C / 70 h





Texwipe TX609 · 无尘擦拭布
尺寸: 9 × 9 in (23 × 23 cm) · 材料: 45% 聚酯/55% 纤维素 · 厂家包装: 300片/袋;10袋/箱


MPW 服务成熟制程 MPW 班车提交需求 成熟与特色工艺的多项目晶圆(MPW)流片:350nm 至 40nm,BCD、SiGe、eFlash、RF 和高压。告诉我们节点、die 尺寸、封装与测试需求和目标时间,我们回复适配情况、排期和报价。开始时无需任何设计文件。
价格以报价为准商城里没有的物料:BOM 清单、图纸件、停产型号替代、供应商寻找和跨境采购。发送一份简短、非保密的需求摘要,我们回复报价或需要补充的问题。
价格以报价为准把原型晶圆变成可用样品:划片、裸 die 处理、QFN/BGA/WLCSP、陶瓷或开腔封装、晶圆探针测试、封装后测试、测试座与负载板,以及样品运输。发送封装目标、die 尺寸和样品数量即可获取报价。
价格以报价为准MPW样品与裸片处理耗材 · 8