您将获得
- 书面报价:写明华虹宏力工艺、班车窗口和价格,确认后再下单
- 来自您班车位的裸片(bare die)
- 如需封装和测试,可与流片一并报价
- 由 MST 代您与晶圆厂协调班车预订
MPW 流片顾问 · AI
描述你的芯片,对照已发布的规划路线、查看有效参考窗口,并整理工程确认问题。
两项信息
一个工作邮箱加一段简短描述就可以开始。
请勿在此发送 GDS/OASIS、RTL、网表、源代码或 PDK 文件。
服务内容
我们不公开价目表。每个 MPW 项目单独报价,付款前提供书面报价。
流片日期以本页班车日历为准;裸片交付时间在报价中写明。
华虹工艺族
资料来自华虹半导体 2025 年年报。是否适合你的设计,在报价中确认。
已稳定量产。是否适合取决于电压器件和可靠性要求。
55 nm eFlash 已大规模量产;40 nm eFlash 客制产品 2025 年进入风险量产。
40 nm 超低功耗工艺已量产,面向物联网和可穿戴设备;55/40 nm 特色工艺和 RF CMOS 稳定量产。
决定是否适合的是器件选项、存储宏和封装测试,而不只是节点。
三个问题
功率/模拟、嵌入式存储和逻辑用不同工艺。
概念、原理图、版图,或可流片的 GDSII。
裸片、封装样片或测试后的芯片。
HHGrace MPW 班车
各节点的计划月份。
| 节点 | 工艺族 | 典型用途 | 月份 |
|---|---|---|---|
| 90nm | 低功耗 BCD | 面向混合电压和嵌入式控制需求的成熟节点 BCD 路径。 | 1月已过6月已过10月计划中 |
| 90nm | 嵌入式 eFlash | 面向控制和特色应用的低功耗嵌入式存储路径。 | 2月已过7月已过11月计划中 |
| 55nm | 高速 SiGe BiCMOS | 面向高速与 RF 类需求的特色混合信号路径。 | 6月已过 |
| 55nm | 低功耗 BCD | 面向合格电源管理和混合电压需求的规划路径。 | 4月已过11月计划中 |
| 55nm | 逻辑 / 嵌入式 eFlash | 面向合格项目的逻辑与嵌入式存储规划路径。 | 3月已过6月已过9月已过12月计划中 |
| 40nm | 逻辑 / 嵌入式 eFlash | 面向合格项目的低功耗逻辑与嵌入式存储规划路径。 | 1月已过5月已过9月已过 |
常见问题
填写本页的两项表单。MST 邮件回复适合的工艺、班次窗口和书面报价。
华虹 2025 年年报列出嵌入式与独立式非易失存储、功率分立器件、模拟与电源管理、逻辑与射频。哪一种适合你的设计,在报价中确认。
不一定。PDK、班次和产能取决于具体设计,在报价中确认。
芯片功能、已知的目标节点、设计阶段、时间、大致芯片面积,以及是否需要裸片、封装或测试。请勿发送 GDS、RTL、网表或 PDK 文件。
韩国 · 英文
面向韩国芯片设计公司、初创和科研团队:工艺匹配、PDK/NDA、GDSII 准备和封装测试。
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